Na razie do centrów danych

W porównaniu z pamięciami DDR4 nowe modele model zapewniają o 40% wyższą wydajność przy dwukrotnie większej pojemności.

Moduł został zbudowany z ośmiu ułożonych w stos matryc DDR5, które są połączone z zastosowaniem technologii TSV (Through-Silicon Via). Jest to ogromna poprawa w stosunku do DDR4, które były ograniczone do czterech matryc DDR4. Pomimo tego stos DDR5 mierzy 1,0 mm w porównaniu z 1,2 mm w przypadku DDR4. Samsung był w stanie zmniejszyć odstępy między matrycami o 40%, co pozwoliło na zmniejszenie wysokości stosów. Firma zapowiada wzrost wydajności magistrali DRAM nawet o 10%.

Moduł pamięci DDR5-7200 działa przy napięciu 1,1 V dzięki wydajnemu układowi zarządzania energią (PMIC), regulatorowi napięcia i zastosowanemu procesowi wytwarzania bramek.

Moduły pamięci o rozmiarze 512 GB są przeznaczone do stosowania w centrach danych i serwerach. Moduł pamięci DDR5 dla użytkowników indywidualnych prawdopodobnie osiągnie rozmiar 64 GB. Po wprowadzeniu układów DDR4 o pojemności 32 GB, przeciętni użytkownicy mogli mieć do 128 GB pamięci na płycie głównej z czterema gniazdami DDR4.

Samsung spodziewa się, że masowa produkcja modułów pamięci DDR5-7200 o pojemności 512 GB rozpocznie się pod koniec 2021 r. Firma uważa, że przestawienie się producentów komputerów na nowy moduł nastąpi dopiero w 2023 lub 2024 r.

fot. Samsung