Nawet tydzień bez ładowania

W nowym chipie IBM-a i Samsunga ma być zastosowana nowa metoda rozmieszczania elementów półprzewodnikowych. Tranzystory będą układane pionowo, a nie, jak w większości przypadków, płasko obok siebie.

Technologia pionowego układania tranzystorów VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) ma w przyszłości zastąpić obecną metodę produkcji półprzewodników FinFET. Metoda pionowego ułożenia tranzystorów pozwoli je gęściej upakować, co powinno dwukrotnie poprawić wydajność układów i zmniejszyć zużycie energii o 85 proc. Według IBM-a i Samsunga technologia VTFET pomoże w zachowaniu prawa Moore'a, które mówi, że liczba tranzystorów w układach scalonych jest podwajana w prawie stałych odstępach czasu.

Koncerny podają przykłady zastosowań nowej technologii, w których najbardziej odczuwalna stanie się poprawa wydajności: smartfony i wydłużenie ich pracy po naładowaniu baterii do tygodnia, a także bardziej energooszczędne wydobywanie kryptowalut i szyfrowanie danych. IBM i Samsung widzą zastosowanie VTFET również w urządzeniach IoT (Internetu rzeczy) i w technologiach kosmicznych.

fot. Tony-Media - Pixabay