Prototypowe pamięci FeRAM
Toshiba we współpracy z firmą NEC pracuje nad nowym rodzajem pamięci FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) o pojemności 128 megabitów (16 MB), z prędkością zapisu i odczytu sięgającą 1,6 Gb/s.
FeRAM to pamięci o konstrukcji podobnej do DRAM. Lepsze transfery i niższe zużycie energii to zalety prototypowego produktu. Nowe pamięci z interfejsem DDR2 przy napięciu 1,8 V oferują czas dostępu na poziomie 83 nanosekund. Według zapewnień producenta układy FeRAM znajdą zastosowanie w telefonach komórkowych, przenośnych komputerach, nośnikach SSD i innych urządzeniach mobilnych. Pamięci produkowane w procesie technologicznym 130 nm mają być zaprezentowane na konferencji International Solid-State Circuits Conference w San Francisco w dniach 8–12 lutego. Toshiba na razie nie podała informacji o rozpoczęciu masowej produkcji.
Źródło: TechConnect
