Samsung rusza z produkcją superszybkiej pamięci
Nowy produkt zapewni smartfonom znacznie krótsze czasy przesyłania danych niż konwencjonalne komputery PC lub dotychczas stosowane karty pamięci.
Pamięć flash o oznaczeniu 512 GB eUFS 3.1 daje trzykrotnie większą prędkość zapisu w stosunku do swojego poprzednika 512 GB eUSF 3.0. Oznacza to, że nowa, superszybka pamięć zapewni smartfonom dużo krótsze czasy przesyłania danych niż konwencjonalne komputery PC z dyskami półprzewodnikowymi lub karty pamięci microSD.
Nowy produkt nie tylko pozwoli na szybsze przesyłanie danych (teoretycznie 100 GB w czasie 90 s), ale też przyspieszy czas otwierania aplikacji i generalnie zwiększy komfort używania smartfonów.
Pamięć eUFS 3.1 firmy Samsung będzie dostępna również w pojemnościach 256 GB i 128 GB, co umożliwi stosowanie jej w tańszych, nie tylko flagowych, urządzeniach.
Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci flash 512 GB pod koniec 2017 r. i udostępnia ją dla smartfonów od 2018 r.
