Superdyski Samsung SSD 970 PRO i 970 EVO
Po wprowadzeniu w 2015 roku pierwszego dysku NVMe SSD przeznaczonego na rynek konsumencki, Samsung zrobił kolejny krok w kierunku zwiększenia wydajności nowoczesnych pamięci. SSD 970 PRO i EVO zostały stworzone z myślą o entuzjastach technologii, graczach i profesjonalistach, którzy oczekują od swoich stacji roboczych maksymalnej wydajności.
Samsung 970 PRO i EVO zostały zaprojektowane w oparciu o technologię M.2 i najnowszy interfejs PCIe Gen 3x4. Seria 970 maksymalnie wykorzystuje potencjał przepustowości NVMe, zapewniając niezrównaną wydajność przetwarzania dużych ilości danych, w tym grafiki 3D i 4K, i danych analitycznych.
Model 970 PRO umożliwia odczyt sekwencyjny z prędkością do 3500 MB/s i zapis sekwencyjny z prędkością do 2700 MB/s[1], natomiast model EVO wykonuje odczyt sekwencyjny z prędkością do 3500 MB/s i zapis sekwencyjny z prędkością do 2500 MB/s. Dzięki najnowszej technologii V-NAND firmy Samsung i nowo zaprojektowanemu kontrolerowi Phoenix, prędkość zapisu sekwencyjnego jest nawet o 30 procent większa niż w poprzedniej generacji. W modelu 970 EVO zastosowano technologię inteligentnego zapisu danych TurboWrite, która wykorzystuje duży bufor o pojemności do 78 GB, co umożliwia większą prędkość zapisu.
Oprócz ulepszeń w poziomie wydajności, modele 970 PRO i EVO zapewniają wyjątkową wytrzymałość i niezawodność. Objęte pięcioletnią gwarancją lub do 1200 terabajtów zapisu - aż o 50 procent więcej niż w poprzedniej generacji - modele 970 PRO i EVO zostały skonstruowane z myślą o długiej żywotności. Technologia Dynamic Thermal Guard zabezpiecza przed przegrzaniem poprzez automatyczne monitorowanie i utrzymywanie optymalnych temperatur pracy.
Model 970 EVO będzie oferowany w pojemnościach 250 GB, 500 GB, 1 TB i 2 TB[8], a 970 PRO w pojemnościach 512 GB i 1 TB. Modele 970 PRO i EVO będą dostępne w sprzedaży w drugiej połowie maja 2018 roku.
Najważniejsze dane techniczne
Kategoria |
970 PRO |
970 EVO |
|
Interfejs |
PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 |
||
Złącze |
M.2 (2280) |
||
Technologia |
Samsung 64L V-NAND 2-bit MLC |
Samsung 64L V-NAND 3-bit MLC |
|
Kontroler |
Kontroler Phoenix Samsung |
||
Pamięć podręczna |
1 GB LPDDR4 DRAM (1 TB) 512 MB LPDDR4 DRAM (512 GB) |
2 GB LPDDR4 DRAM (2 TB) 1 GB LPDDR4 DRAM (1 TB) 512 MB LPDDR4 DRAM (250 GB/500 GB) |
|
Pojemność |
512 GB i 1 TB |
250 GB, 500 GB, 1 TB i 2 TB |
|
Prędkość odczytu/zapisu sekwencyjnego |
Do 3500/2700 MB/s |
Do 3500/2500 MB/s |
|
Prędkość odczytu/zapisu losowego |
Do 500 000/500 000 IOPS |
Do 500 000/480 000 IOPS |
|
Pobór prądu w tryb uśpienia |
5 mW |
||
Oprogramowanie do zarządzania |
Oprogramowanie Samsung Magician |
||
Szyfrowanie danych |
Klasa 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
||
Całkowita liczba zapisanych bajtów (TBW) |
1200 TBW (1 TB) 600 TBW (512 GB) |
1200 TBW (2 TB) 600 TBW (1 TB) 300 TBW (500 GB) 150 TBW (250 GB) |
|
Gwarancja |
Pięcioletnia ograniczona gwarancja* |