Interfejsy pamięci HBM2E Samsunga trafią do sprzedaży
Samsung rozwija chipy HBM. Właśnie ogłosił premierę trzeciej generacji HBME2, czyli flashboltów.
Flaschbolty Samsunga to wytwarzane za pomocą mikropołączeń TSV kości pamięci 16 GB, na które składa się osiem 16-gigabitowych warstw wykonanych w litografii klasy 10 nm. Maleństwa umożliwiają szybkość transferu danych do 3,2 Gb/s. Daje to przepustowość na poziomie 410 GB/s dla pakietu o pojemności 16 GB.
To pierwszy na świecie DRAM dla sztucznej inteligencji (AI) i komputerów przyszłości o takich osiągach. Tego typu sprzęt umożliwi wykonywanie ultraszybkiej analizy danych, co jest nieodzowne w przypadku obsługi AI i superkomputerów. Zapowiadane w sierpniu minionego roku kości mają, zgodnie z informacjami producenta, trafić do sprzedaży na masową skalę. Porównanie do kości drugiej generacji wykazuje wzrost szybkości działania o 1,75 na sekundę.
