Pierwsze kości pamięci DDR3 30nm
Samsung jako pierwszy na świecie ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 2Gb kości pamięci Green DDR3 wykonanych w technologii 30 nm.
"Obserwujemy mocny wzrost zapotrzebowania na pamięć DDR3 i wychodzimy mu naprzeciw, wprowadzając do sprzedaży 30 nm pamięci Green DDR3" powiedział Soo-In Cho, prezes Memory Division Semiconductor Business w Samsung Electronics. "30 nm pamięci DDR3 zapewnią najlepszą możliwą wydajność, przy jednoczesnej redukcji zapotrzebowania na energię, w wykorzystujących wielordzeniowe procesory komputerach klasy PC i serwerach"
Moduły 30 nm 2 Gb zapewniają najwyższą wydajność, dzięki rozmieszczeniu układów scalonych. W serwerach, moduły pamięci osiągają przepustowość sięgającą 1,866 Gb na sekundę, przy zasilaniu 1,35 V, a w komputerach klasy PC nawet 2,133 Gb na sekundę (zasilanie 1,5 V). To ponad trzykrotnie szybciej niż moduły pamięci DDR2 i półtora razy szybciej niż 50 nm układy pamięci DDR3.
Ostatni wzrost sprzedaży na rynku smartphonów, zaowocował zdecydowanym zwiększeniem ruchu sieciowego i przepływu danych. Nowe pamięci Samsunga są gotowe do wykorzystania w serwerach nowej generacji zoptymalizowanych pod kątem wirtualizacji i cloud computing. Wykorzystując technologię 30 nm pamięci Samsung, serwery zużyją ok. 20 procent mniej energii, niż w przypadku zastosowania pamięci wykonanych w 50 nm procesie produkcji.
Dodatkowo, w połączeniu z nowymi, wielordzeniowymi platformami PC, 4GB 30 nm kość pamięci DDR3 pracuje o 60 procent szybciej niż dwie 2GB 50 nm kości pamięci DDR3, zużywając przy tym o 65 procent mniej energii. 30 nm proces produkcji pozwolił na 155 procentowy wzrost wydajności w stosunku do 50 nm.
