Pierwsza 256-gigabitowa pamięć flash 3D V NAND
Trzecia generacja pamięci flash V‑NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wysokiej wydajności i efektywności energetycznej.
Nowa 256-gigabitowa pamięć flash 3D V‑NAND firmy Samsung ma dwukrotnie większą gęstość w porównaniu z tradycyjnymi 128‑gigabitowymi kościami pamięci flash. Oprócz możliwości zapisania 32 gigabajtów (256 gigabitów) danych w pojedynczej kości nowy moduł pozwala także na podwojenie pojemności oferowanych obecnie dysków SSD Samsung.
W nowym układzie V‑NAND każda komórka wykorzystuje tę samą strukturę trójwymiarowej pułapki ładunku (CTF), w której komórki tworzą pionową 48-warstwową masę połączoną elektrycznie przez około 1,8 mld kanałów wykonanych specjalną techniką wytrawiania. Łącznie układ zawiera ponad 85,3 mld komórek. Każda z nich może przechowywać 3 bity danych, do daje w sumie 256 mld bitów, czyli 256 gigabitów danych - w układzie o wielkości porównywalnej z opuszkiem palca.
256-gigabitowa 48-warstwowa pamięć flash V‑NAND z 3‑bitowymi MLC zużywa o 30 procent mniej energii z porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią z 3‑bitowymi MLC przy tej samej ilości zapisanych danych. Sam proces produkcji nowej pamięci jest wydajniejszy o około 40 procent w porównaniu z technologią produkcji wersji 32‑warstwowej, co pozwoli zwiększyć konkurencyjność kosztową na rynku SSD przy wykorzystaniu w większości tego samego sprzętu.
Samsung zamierza produkować pamięci V‑NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku, aby przyspieszyć popularyzację dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 terabajta wzwyż. Wprowadzając dyski SSD o pojemności 2 terabajtów i większej dla użytkowników prywatnych, Samsung planuje także zwiększenie sprzedaży wielkopojemnych dysków SSD z najnowocześniejszymi interfejsami PCIe NVMe i SAS dla przedsiębiorstw i centrów danych .
