Przejdź do treści

Nowy iPhone 18 Pro Max może spowolnić zapis danych w pamięci aż do 1,1 MB/s – nowe testy ujawniają problemy pod dużymi obciążeniami

3 minuty czytania

Nowe iPhone'y 18 Pro mogą zaskoczyć Was niespodziewanymi spadkami wydajności pamięci.

Wesprzyj redakcję i dodaj PC Format do ulubionych źródeł w Google. To dla nas bardzo ważne!

Wygląda na to, że decyzja firm Apple o zastosowaniu w najnowszej serii swoich flagowych urządzeń iPhone 18 Pro pamięci NAND typu QLC w modelach o większej pojemności może wiązać się z pewnymi kompromisami. Kanał Homolab na platformie Bilibili przeprowadził niedawno testy iPhone’a 18 Pro Max o pojemności 1 TB i stwierdził, że wydajność pamięci może znacznie spaść przy długotrwałym intensywnym obciążeniu. Ponieważ pamięć QLC przechowuje cztery bity danych na komórkę pamięci w porównaniu z trzema bitami w przypadku pamięci TLC, pozwala to producentom oferować większe pojemności przy wykorzystaniu tej samej przestrzeni fizycznej. Wyższa gęstość zapisu może jednak wiązać się z wolniejszym działaniem – szczególnie podczas przetwarzania dużych ilości danych – co udowodniono w opisywanych testach.

Spadki wydajność pamięci w najdroższych modelach są wyraźnie zauważalne

Serwis Tom’s Hardware donosi, że kanał Homolab porównał model iPhone’a 18 Pro Max o pojemności 1 TB z pamięcią QLC z modelem iPhone’a 18 Pro o pojemności 512 GB z pamięcią TLC. Chociaż oba typy pamięci wykazują dość podobną wydajność w testach odczytu w rozdzielczości 4K, model z pamięcią QLC pozostaje w tyle o 38% w przypadku mieszanego obciążenia przy małej głębokości kolejki, uzyskując wynik 8 168 w porównaniu z 11 285 w przypadku modelu z pamięcią TLC. W przypadku większego obciążenia różnica ta zmniejsza się, choć model z pamięcią TLC nadal zachowuje 12-procentową przewagę.

Okazuje się, że spadek wydajności droższego modelu jest jeszcze bardziej widoczny w testach długotrwałego zapisu. iPhone 18 Pro Max wykorzystuje szybką pamięć podręczną typu SLC, która może osiągać prędkości do 3 000 MB/s. Po wyczerpaniu tej pamięci podręcznej kontrolę przejmuje dodatkowy bufor oparty na pamięci TLC, osiągający średnio około 578 MB/s. Gdy oba bufory pamięci podręcznej zostaną wyczerpane, telefon musi zapisywać dane bezpośrednio na bazowej pamięci NAND typu QLC. Z testów wynika, że w tym momencie wydajność zapisu ciągłego może spaść do 79,4 MB/s, a prędkość sporadycznie spada nawet do 25,6 MB/s.

Sytuacja wygląda jeszcze gorzej, gdy pamięć zaczyna się zapełniać. Przy 60% zapełnienia dostępna pamięć podręczna SLC spada z 250 GB do zaledwie 58 GB. Powoduje to również spowolnienie bufora drugiego poziomu do 396 MB/s, podczas gdy bezpośredni zapis na nośniku QLC osiąga średnio zaledwie 45 MB/s, a czasami spada nawet do 1,1 MB/s. To wyniki znacznie gorsze od tych, które moglibyśmy zaobserwować w wielu niedrogich kartach microSD.

Raczej nie musicie zwracać swojego nowego iPhone’a

Na szczęście wyniki te nie oznaczają, że macie pakować swoje nowe telefony i jak najprędzej odsyłać je sklepów, z których je nabyliście. Warto pamiętać, że mówimy tutaj o syntetycznych testach porównawczych, które mają odzwierciedlać najgorszy możliwy scenariusz. Większość użytkowników nie powinnia odczuwać żadnych problemów z wydajnością podczas wykonywania typowych zadań, takich jak przeglądanie stron internetowych, wysyłanie wiadomości, granie w gry czy robienie zdjęć.

Ewentualne wykazane tutaj spowolnienie będzie prawdopodobnie odczuwalne najczęściej podczas wykonywania określonych, skomplikowanych zadań, takich jak nagrywanie w rozdzielczości 4K lub formacie ProRes, przesyłanie dużych plików czy przywracanie kopii zapasowych danych. Niemniej jednak testy przeprowadzone przez Homolab wskazują na kompromis związany z zastosowaniem pamięci QLC NAND w flagowym smartfonie o dużej pojemności, szczególnie w przypadku użytkowników, którzy regularnie wykonują zadania wymagające dużej ilości pamięci.

Wesprzyj redakcję i dodaj PC Format do ulubionych źródeł w Google. To dla nas bardzo ważne!

0 komentarzy

Zostaw komentarz